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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西北某LED概念片种植单位,因种植操作过程中安全使用砷化镓、酸洗铟等III-V族无机化合物,废底层的水中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,开发进行处理投资规模1200吨/日。 生产废水部分及特征 MOCVD机洁净废水处理工艺 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等无机金屬无机化合物 切割工作研磨设备化工废水 :含纳米技术级金属材料颗粒状 真空电镀废水处理工艺 :含铜、镍等材料阴阳离子 补救工艺技术流程 不断创新选取"氧化的破络+天价属捕集器+膜隔离"搭配组合技艺: 预操作摸块 :加药氢氧化钙转化巧妙彩石络合物 核心思想工作模快 : 利用DTCR血本属收集剂生成不可溶螯合物 超滤膜系统化(UF)公款私存大氧分子造成的有机废气 反浸入(RO)脱盐率>98% 污水正确并行处理尺寸 :离心分离脱水现象后交予危险废物工作中间加工 然后功效 经其几方面检验: 总砷硫含量:0.05mg/L(标准0.5mg/L) 镉含铁:0.01mg/L(国际标准0.1mg/L) 水中水回用率:75% 加载投资成本:3.8元/吨水

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