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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

建设项目背景图片 本次目是在长三边形的地方某国级半导体行业行业观赏区,行业核心研发8寸大和12寸大晶圆,日常量高达2万片。伴随着产能分析增加,原本的污水治疗软件系统已没办法需要满足环保型特殊要求,肯定需要升阶整修。工作总进行投资约11000万元,设汁治疗特性为300吨/日,于2022年成立投入使用。 化工废水基本成分及源于 该工厂晶圆片区生产工艺带来的废气最主要的分为下面的材料: 切割机时候中施用的研磨机液留下物,基本因素为二钝化硅颗料、面抗逆性剂和无机加上剂 晶圆界面的洗涤生产的含氟废水处理,氟阴离子氨水浓度在80-120mg/L 少量的血本属阴离子如铜、镍等,的来来自于切除APP损坏 有机酸dmf溶剂农药残留,具有异丙醇、异丙醇等 pH值下降较少,基本在4-10间 净化处理技术注意事项 造成废水除理方法性,设置用于"化学预除理+生物化除理+进一步除理"的女子组合制作工艺: 可以调节池 :平衡生活饮用水排水量,装置pH网络评估和会自动投药系统 混凝土沉淀物中 :污泥脱水PAC和PAM,的还原自动隐藏物和氢氧化铁的物质 气浮第一单元 :用到溶气气浮艺进一点除去微小颗粒状和位置有机质物 生物化操作 :所采用MBR膜生物工程发植物细胞培养,污水氧浓度确保在8000-10000mg/L 厚度净化处理 :抗逆性炭过滤+反进行渗透艺,有效确保水流考核标准 污泥干化清理 :板框带式压滤机脱水怎么办,生活污水含水量率减至60%下类 清理效用 程序动态平衡运转后,留水水体质量全部符合《电子元器件工业品水危害物排卸标准化》(GB39731-2020)尤其是排卸卫生防护距离特殊要求: COD<30mg/L 氟阴阳离子<5mg/L 悬浮物物<10mg/L 巨资属哪项目标均少于允许值 建设项目每一年的可避免被污染物质产生量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率提升75%这些,为公司企业降低成本水电费性支出约130万元/年。

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